Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. investierte 10 Milliarden Yuan in den Bau eines Siliziumkarbid-Substratprojekts

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. plant, insgesamt 10 Milliarden Yuan in den Aufbau einer Forschungs-, Entwicklungs- und Produktionsbasis für Siliziumkarbid-Substratmaterialien zu investieren. Das Projekt ist in drei Bauphasen unterteilt. Es wird erwartet, dass in der ersten Phase 2,1 Milliarden Yuan investiert werden. Nach der Fertigstellung wird es eine jährliche Produktionskapazität von 240.000 leitfähigen Siliziumkarbid-Substratwafern und 50.000 Epitaxiewafern haben. Darüber hinaus hat das Unternehmen langfristige Einkaufsverträge mit nachgelagerten Kunden abgeschlossen und es wird erwartet, dass der Umsatz in den nächsten Jahren Milliarden Yuan erreichen wird.