Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. investeerde 10 miljard yuan om een ​​siliciumcarbidesubstraatproject te bouwen

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. is van plan in totaal 10 miljard yuan te investeren in de bouw van een R&D- en productiebasis voor siliciumcarbidesubstraatmaterialen. Het project is verdeeld in drie bouwfasen. De eerste fase zal naar verwachting 2,1 miljard yuan investeren. Na voltooiing zal het een jaarlijkse productiecapaciteit hebben van 240.000 geleidende siliciumcarbidesubstraatwafels en 50.000 epitaxiale wafers. Bovendien heeft het bedrijf langetermijninkoopcontracten getekend met downstream-klanten, en de omzet zal naar verwachting de komende jaren miljarden yuans bedragen.