Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd.-მ ჩადო 10 მილიარდი იუანი სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის პროექტის ასაშენებლად.

Hefei Luxiao Semiconductor Materials Co., Ltd. გეგმავს სულ 10 მილიარდი იუანის ინვესტირებას სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატის მასალის R&D და წარმოების ბაზის ასაშენებლად. პროექტი დაყოფილია მშენებლობის სამ ეტაპად. პირველი ეტაპი, სავარაუდოდ, 2,1 მილიარდი იუანის ინვესტიციას განხორციელდება, მას შეუძლია შექმნას წლიური სიმძლავრე 240,000 სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატისა და 50,000 ეპიტაქსიალური ვაფლის. გარდა ამისა, კომპანიამ გააფორმა გრძელვადიანი შესყიდვის კონტრაქტები ქვედა დინების მომხმარებლებთან და მოსალოდნელია, რომ გაყიდვები მილიარდ იუანს მიაღწევს მომდევნო რამდენიმე წელიწადში.