Luxiao Semiconductor Materials Co, Ltd. investivit X miliardis Yuan ut aedificaretur project carbide silicon substrata

Hefei Luxiao Materies Semiconductor Co., Ltd. cogitat ut summam 10 miliardorum Yuan ad componendam carbidam siliconam materiam subiectam R&D aedificandam et basim efficiendam. Proiectum in tres gradus constructionis dividitur. Prima pars expectatur ut 2.1 sescenti Yuan obsideat. Praeterea, societas diu terminus signavit contractus emendi cum decurrentibus clientibus, et venditio eius expectatur ad billions Yuan in proximo paucis annis.