Zhejiang Jingyue Semiconductor Co., Ltd. Projet gouf a Produktioun gesat
2021
Jo
Si
Mo
Pro
Semi
Si
Fuerschung
Jo
Zoll
Zhejiang
Wafer
Fuerschung
Substrat
Substrat
Joer
SiC
Entwécklung
Verkaf
Projet
2024-12-25 01:31
50
Zhejiang Jingyue Semiconductor Co., Ltd konzentréiert sech haaptsächlech op d'Fuerschung an d'Entwécklung, d'Produktioun a Verkaf vu 6-8 Zoll konduktiv Siliziumkarbid Substratmaterialien. Den éischte-Phase Projet vun der Firma wäert 12,000 6-Zoll SiC Wafer jäerlech produzéieren, an d'Ausbezuelung wäert d'Produktioun am Joer 2021 erreechen. Déi zweet Phas vum Projet plangt 1.500 Siliziumkarbidwafer pro Mount ze produzéieren.
