Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. d'jährlech Produktiounskapazitéit vun 120.000 Stéck 4-8 ​​Zoll Siliziumcarbid Wafer Projet gouf a Betrib geholl

Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. d'jährlech Produktiounskapazitéit vun 120.000 4-8-Zoll Siliziumkarbidwaferprojete gouf a Produktioun gesat Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd., den Institut fir Physik vun der Chinesescher Akademie vun de Wëssenschaften, a Peking Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd.. D'Firma setzt op Technologie, an déi ëmfaassend Stäerkt vun der Technologie, déi vun der Firma benotzt gëtt, rangéiert éischt am Land a véiert op der Welt an der Siliziumkarbid Eenkristall Substratindustrie, erreecht heemlech féierend an international fortgeschratt Niveauen.