Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. étend sa production de tranches de carbure de silicium de 4 à 8 pouces

Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. prévoit d'investir 731 millions de yuans supplémentaires pour construire 400 ensembles complets de lignes de production de cristaux de carbure de silicium. D'ici là, la capacité de production annuelle de plaquettes en carbure de silicium de 4 à 8 pouces atteindra 120 000 pièces. Actuellement, l'entreprise procède à la rénovation de son atelier sans poussière. Dans la première phase, les 54 fours de croissance de monocristaux de carbure de silicium sont arrivés et 30 ont été installés.