Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. expande a produção de wafers de carboneto de silício de 4 a 8 polegadas

Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. planeja investir outros 731 milhões de yuans para construir 400 conjuntos completos de linhas de produção de cristal de carboneto de silício. Até então, a capacidade de produção anual de wafers de carboneto de silício de 4 a 8 polegadas atingirá 120.000 peças. Atualmente, a empresa está passando por uma reforma em sua oficina livre de poeira. Na primeira fase, todos os 54 fornos de crescimento monocristalino de carboneto de silício chegaram e 30 foram instalados.