Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. erweidert d'Produktioun vu 4-8 Zoll Silicon Carbide Wafers

Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. plangt weider 731 Millioune Yuan ze investéieren fir 400 komplette Sets vu Siliziumkarbidkristallproduktiounslinnen ze bauen. Bis dohinner wäert d'jährlech Produktiounskapazitéit vu 4-8 Zoll Siliziumkarbidwafer 120.000 Stéck erreechen. Momentan ass d'Firma Renovatioun vu sengem staubfreien Workshop All 54 Siliziumkarbid Eenkristallwachstumsofen an der éischter Phase sinn ukomm an 30 goufen installéiert.