Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. utvider produksjonen av 4-8 tommers silisiumkarbidskiver

Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. planlegger å investere ytterligere 731 millioner yuan for å bygge 400 komplette sett med produksjonslinjer for silisiumkarbidkrystall. Da vil den årlige produksjonskapasiteten til 4-8 tommers silisiumkarbidskiver nå 120 000 stykker. For tiden gjennomgår selskapet renovering av sitt støvfrie verksted. Alle 54 silisiumkarbid-enkrystallvekstovner i første fase er ankommet og 30 er installert.