Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd kompaniyasi 4-8 dyuymli silikon karbidli gofret ishlab chiqarishni kengaytiradi.

Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd kremniy karbid kristalli ishlab chiqarish liniyalarining 400 ta to'liq to'plamini qurish uchun yana 731 million yuan sarmoya kiritishni rejalashtirmoqda. O'sha vaqtga kelib, 4-8 dyuymli silikon karbidli gofretlarning yillik ishlab chiqarish quvvati 120 000 donaga etadi. Ayni paytda korxonada changdan xoli bo‘lgan tsexni ta’mirlash ishlari olib borilmoqda. Birinchi bosqichda barcha 54 ta kremniy karbidli monokristalli pechlar kelib, 30 tasi o‘rnatildi.