Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. paplašina 4–8 collu silīcija karbīda vafeļu ražošanu

Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. plāno ieguldīt vēl 731 miljonu juaņu, lai izveidotu 400 silīcija karbīda kristāla ražošanas līniju komplektus. Līdz tam 4-8 collu silīcija karbīda vafeļu ikgadējā ražošanas jauda sasniegs 120 000 gabalu. Šobrīd uzņēmumā notiek bezputekļu darbnīcas remonts. Pirmajā posmā ir nonākušas visas 54 silīcija karbīda monokristālu augšanas krāsnis un uzstādītas 30.