Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. пашырае вытворчасць 4-8-цалевых пласцін з карбіду крэмнія

Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. плануе інвеставаць яшчэ 731 мільён юаняў у стварэнне 400 поўных камплектаў ліній па вытворчасці крышталя карбіду крэмнію. Да таго часу гадавы аб'ём вытворчасці пласцін з карбіду крэмнія 4-8 цаляў дасягне 120 000 штук. У цяперашні час кампанія знаходзіцца ў стадыі рэканструкцыі свайго цэха без пылу. На першым этапе прыбылі ўсе 54 печы для вырошчвання монакрышталяў з карбіду крэмнію і 30 устаноўлены.