Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. розширює виробництво 4-8-дюймових пластин карбіду кремнію

Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. планує інвестувати ще 731 мільйон юанів у будівництво 400 повних комплектів ліній виробництва кристалів карбіду кремнію. До того часу річна виробнича потужність 4-8-дюймових пластин карбіду кремнію досягне 120 000 штук. В даний час компанія проходить реконструкцію свого цеху без пилу. На першому етапі прибули всі 54 печі для вирощування монокристалів з карбіду кремнію, а 30 було встановлено.