Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. plečia 4–8 colių silicio karbido plokštelių gamybą

„Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd.“ planuoja investuoti dar 731 mln. juanių, kad sukurtų 400 pilnų silicio karbido kristalų gamybos linijų komplektų. Iki to laiko metinis 4–8 colių silicio karbido plokštelių gamybos pajėgumas pasieks 120 000 vienetų. Šiuo metu įmonė atnaujina savo cechą be dulkių. Pirmajame etape buvo pristatytos visos 54 silicio karbido monokristalų auginimo krosnys ir sumontuota 30.