Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. proširuje proizvodnju 4-8 inčnih pločica od silicij karbida

Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. planira uložiti još 731 milijun juana u izgradnju 400 cjelovitih setova linija za proizvodnju kristala silicijevog karbida. Do tada će godišnji proizvodni kapacitet pločica od silicij-karbida od 4-8 inča dosegnuti 120.000 komada. Tvrtka trenutno prolazi kroz obnovu svoje radionice bez prašine. U prvoj fazi stigle su sve 54 peći za rast monokristala od silicij karbida, a 30 ih je instalirano.