Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. သည် 4-8 လက်မ silicon carbide wafers ထုတ်လုပ်မှုကို တိုးချဲ့ခဲ့သည်။

Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technology Co., Ltd. သည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲ ထုတ်လုပ်မှုလိုင်း အစုံအလင် ၄၀၀ ကို တည်ဆောက်ရန် နောက်ထပ် ယွမ် ၇၃၁ သန်း ရင်းနှီးမြှုပ်နှံရန် စီစဉ်နေသည်။ ထိုအချိန်တွင်၊ 4-8 လက်မစီလီကွန်ကာဗိုက် wafers များ၏နှစ်စဉ်ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်သည် 120,000 အပိုင်းအထိရောက်ရှိမည်ဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင် ကုမ္ပဏီသည် ၎င်း၏ဖုန်မှုန့်ကင်းစင်သော အလုပ်ရုံဆွေးနွေးပွဲကို ပထမအဆင့်တွင် ပြုပြင်မွမ်းမံလျက်ရှိပြီး ပထမအဆင့်တွင် ဆီလီကွန်ကာဘိုင် တစ်ခုတည်းသော ကြီးထွားမှုမီးဖိုများ 54 လုံးရောက်ရှိလာပြီး 30 ကို တပ်ဆင်ပြီးဖြစ်သည်။