Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technologiae Co., Ltd. dilatat productionem laganae carbidi Pii 4-8 inch.

Hebei Tianda Jingyang Semiconductor Technologiae Co., Ltd. consilia ad obsidendam aliam 731 decies centena milia Yuan aedificare 400 lineas productionis carbide cristallinae siliconis completae. Inde, annua productio capacitas 4-8 pollicis carbidi siliconis lagana 120,000 frusta perveniet. In statu, societas renovationem pulveris gratuiti officinam patitur. In primo tempore omnes 54 carbida siliconis fornacibus unum crystallum advenerunt et 30 inaugurati sunt.