У березні буде запущено у виробництво високовольтну технологічну мікросхему потужності Jiaxing Star Microelectronics Co., Ltd., мікросхему SiC.

Очікується, що в березні цього року буде введено в експлуатацію високовольтну характеристику технологічної мікросхеми потужності Jiaxing Star Microelectronics Co., Ltd., мікросхеми SiC. Проект розташований у районі Наньху, Цзясін, із загальним обсягом інвестицій у 2 мільярди юанів. Після введення в експлуатацію він досягне 360 000 мікросхем на рік, а річна вартість – 1 мільярд юанів. Star Semiconductor зосереджується на модулях IGBT, модулях MOSFET та інших продуктах, а також надає рішення для транспортних засобів з новою енергією та інших галузей. І приніс 400 мільйонів юанів податкових надходжень у місцевість.