जियाक्सिंग स्टार माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स कंपनी लिमिटेड की हाई-वोल्टेज विशेषता प्रक्रिया पावर चिप और SiC चिप R&D और औद्योगीकरण परियोजनाओं को मार्च में उत्पादन में लगाया जाएगा।

जियाक्सिंग स्टार माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स कंपनी लिमिटेड की हाई-वोल्टेज विशेषता प्रक्रिया पावर चिप और सीआईसी चिप आर एंड डी और औद्योगीकरण परियोजनाओं को इस साल मार्च में उपयोग में लाए जाने की उम्मीद है। यह परियोजना नान्हू जिले, जियाक्सिंग में स्थित है, जिसमें कुल 2 बिलियन युआन का निवेश है। इसे परिचालन में लाने के बाद, यह 360,000 पावर चिप्स का वार्षिक उत्पादन और 1 बिलियन युआन का वार्षिक उत्पादन मूल्य प्राप्त करेगा। स्टार सेमीकंडक्टर IGBT मॉड्यूल, MOSFET मॉड्यूल और अन्य उत्पादों पर ध्यान केंद्रित करता है, और नई ऊर्जा वाहनों और अन्य क्षेत्रों में समाधान प्रदान करता है। और स्थानीय क्षेत्र में 400 मिलियन युआन कर राजस्व लाया।