Jiaxing Star Microelectronics Co., Ltd., ຊິບພະລັງງານຂະບວນການທີ່ມີແຮງດັນສູງແລະໂຄງການຊິບ SiC R&D ແລະອຸດສາຫະກໍາຈະຖືກນໍາໄປຜະລິດໃນເດືອນມີນາ.
gallium nitride
ນທ
360
ອື່ນໆ
IGBT
ນີ້
ແລະ
ເດືອນ
MOSFET
ມ
ນໍ
ທ້ອງ
ໂດຍ
ພະລັງງານ
ຢ
ລົງທຶນ
ຊິບ
ຊິບ
ພະລັງງານໃຫມ່
ສີ
ຄາດ
ຢວນ
ຂະບວນການ
ທຶນ
ທຶນ
ທຶນ
ການແກ້ໄຂ
ສູງ
ນໍ
ທ
ນຳ
ໂມດູນ
ໂມດູນ
ນ
ການແກ້ໄຂ
ສູງ
ພະລັງງານ
ທຶນ
ພາສີ
ສູງ
360
ຟ
ແຮງດັນ
Jiaxing
ສຸມໃສ່
ພາສີ
ຄາດວ່າຈະ
ປີ
SiC
ລົງທຶນ
ລີ່
ໄຟ
ອຸດສາຫະກໍາ
ນີ້
ໂຄງການ
ດຳ
ເມືອງ
ແມ່
ຕັ້ງ
2024-12-25 01:48
0
Jiaxing Star Microelectronics Co., Ltd., ຊິບພະລັງງານຂະບວນການທີ່ມີແຮງດັນສູງ ແລະໂຄງການຊິບ SiC R&D ແລະອຸດສາຫະກໍາແມ່ນຄາດວ່າຈະນໍາໃຊ້ໃນເດືອນມີນາປີນີ້. ໂຄງການດັ່ງກ່າວຕັ້ງຢູ່ເມືອງນານຮູແຂວງເຈີ້ຈ່ຽງ, ໂດຍມີຍອດມູນຄ່າການລົງທຶນ 2 ຕື້ຢວນ, ພາຍຫຼັງເລີ່ມດຳເນີນການແລ້ວ, ຈະບັນລຸການຜະລິດຊິບໄຟໄດ້ 360,000 ໜ່ວຍຕໍ່ປີ ແລະ ຍອດມູນຄ່າການຜະລິດຕໍ່ປີແມ່ນ 1 ຕື້ຢວນ. Star Semiconductor ສຸມໃສ່ໂມດູນ IGBT, ໂມດູນ MOSFET ແລະຜະລິດຕະພັນອື່ນໆ, ແລະສະຫນອງການແກ້ໄຂໃນຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່ແລະຂົງເຂດອື່ນໆ. ແລະໄດ້ນຳເອົາລາຍຮັບຈາກພາສີອາກອນ 400 ລ້ານຢວນເຂົ້າສູ່ທ້ອງຖິ່ນ.
