三星电子将量产第9代V-NAND闪存

据消息人士透露，三星电子预计将在本月下旬开始量产第9代V-NAND闪存，该闪存的堆叠层数将达到290层。随着对高性能和大型存储设备需求的增长，三星电子还计划明年推出430层NAND芯片。