Huawei huet sech mam Harbin Institute of Technology zesummegeschafft fir e Patent fir Diamant Halbleitermaterialien ze bewerben

Den Diamant Halbleitermaterial Patent, deen zesumme vum Huawei an dem Harbin Institute of Technology applizéiert gouf, huet d'Opmierksamkeet ugezunn. De Patent, mam Titel "Eng Hybridverbindungsmethod fir dreidimensional integréiert Chips baséiert op Silizium an Diamant", weist d'Potenzial vum Diamant als en ultra-breet Bandgap Hallefleitmaterial. D'Aktiepräisser vu verbonne Firmen sinn als Resultat eropgaang.