Huawei sadarbojās ar Harbinas Tehnoloģiju institūtu, lai pieteiktos dimanta pusvadītāju materiāla patentam

Uzmanību ir piesaistījis Huawei un Harbinas Tehnoloģiju institūta kopīgi pieteiktais dimanta pusvadītāju materiāla patents. Patents ar nosaukumu "Hibrīda savienošanas metode trīsdimensiju integrētām mikroshēmām, kuru pamatā ir silīcijs un dimants", parāda dimanta kā īpaši platas joslas pusvadītāju materiāla potenciālu. Tā rezultātā pieauga saistīto uzņēmumu akciju cenas.