Huawei, almaz yarımkeçirici material patentinə müraciət etmək üçün Harbin Texnologiya İnstitutu ilə birləşdi

Huawei və Harbin Texnologiya İnstitutunun birgə tətbiq etdiyi almaz yarımkeçirici material patenti diqqəti cəlb edib. “Silikon və almaza əsaslanan üçölçülü inteqrasiya edilmiş çiplər üçün hibrid birləşmə üsulu” adlı patent almazın ultra geniş diapazonlu yarımkeçirici material kimi potensialını nümayiş etdirir. Nəticədə əlaqədar şirkətlərin səhmlərinin qiyməti qalxıb.