Preisvergleich für Siliziumkarbid-Geräte

Der Preis für 750-V-820-A-IGBT-Module ist von 2.700 auf 3.000 Yuan auf 1.000 Yuan gesunken, während der Preis für Siliziumkarbid-MOS-Module des gleichen Niveaus 3.000 Yuan übersteigt, was dem Dreifachen des Preises für IGBT-Module entspricht.