Comparação de preços de dispositivos de carboneto de silício

O preço dos módulos IGBT 750V 820A caiu de 2.700 para 3.000 yuans para 1.000 yuans, enquanto o preço dos módulos MOS de carboneto de silício do mesmo nível excede 3.000 yuans, o que é três vezes o dos módulos IGBT.