Comparación de precios de dispositivos de carburo de silicio

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El precio de los módulos IGBT de 750V 820A ha bajado de 2.700 a 3.000 yuanes a 1.000 yuanes, mientras que el precio de los módulos MOS de carburo de silicio del mismo nivel supera los 3.000 yuanes, que es tres veces mayor que el de los módulos IGBT.