ნახევრად უხიდი ტოტემ ბოძის PFC-ის აპლიკაციები და უპირატესობები

გადამუშავებული ნახევრად უხიდი ტოტემური ბოძის PFC გამოყენებით, ამ ტოპოლოგიის გამოყენება PFC დონეზე აუმჯობესებს ეფექტურობას 1.0%-ით არსებულ სქემებთან შედარებით. თუ ინვერტორული საფეხური განახლდება SiC MOSFET-ზე, ეფექტურობის გაზრდა კიდევ 0.4%-ით, შესაძლებელია ეფექტურობის მთლიანი გაუმჯობესება 1.4%-ით.