Silicon Carbide epitaxial Ausrüstung an epitaxial wafer Maart Analyse

56
De Siliziumkarbid Epitaxial Ausrüstung an Epitaxial Wafer Maart gëtt haaptsächlech vu Firmen wéi Axitron, LPE, TEL an Nuflare dominéiert. Conductive SiC Substrater ginn haaptsächlech benotzt fir Kraaftapparater ze produzéieren, während semi-isoléierend SiC Substrater gi benotzt fir Radiofrequenz Geräter ze produzéieren.