Hefei Century Gold Core Semiconductor Co., Ltd. asutas Sise-Mongoolias uue tehase, mille investeeringud on 3,5 miljardit ja aastatoodang 700 000 SiC monokristalli substraati.

Hiljuti asutas Hefei Century Gold Core Semiconductor Co., Ltd. Sise-Mongoolias uue tootmisbaasi, mis keskendub ränikarbiidi monokristall-substraatide tootmisele. Projekti koguinvesteering on 3,5 miljardit RMB ja hinnanguline aastane toodang on 700 000 tükki. Uue tehase ehitamine aitab parandada Sise-Mongoolia autonoomse piirkonna ja Baotou linna uute ja vanade liikumapanevate jõudude ümberkujundamist ning strateegiliselt esilekerkivate tööstusharude taset.