Novo avanço no campo da fotônica de silício: Desenvolvimento bem-sucedido de laser semicondutor de onda contínua com bombeamento elétrico de elemento de grupo totalmente de silício

Uma equipe de cientistas do Centro de Pesquisa Helmholtz Jülich, na Alemanha, desenvolveu com sucesso o primeiro laser semicondutor de onda contínua com bombeamento elétrico de elemento de grupo totalmente de silício. O laser é desenvolvido diretamente em um wafer de silício e espera-se que seja compatível com a tecnologia tradicional de fabricação de chips CMOS e adequado para integração perfeita com os processos de fabricação de silício existentes.