Nyt gennembrud inden for siliciumfotonik: Succesfuld udvikling af hel-silicium gruppe element elektrisk pumpet kontinuerlig bølge halvleder laser

Et team af forskere fra Helmholtz Research Center Jülich i Tyskland har med succes udviklet den første hel-silicium gruppe element elektrisk pumpet kontinuerlig bølge halvleder laser. Laseren dyrkes direkte på en siliciumwafer og forventes at være kompatibel med traditionel CMOS-chipfremstillingsteknologi og egnet til sømløs integration med eksisterende siliciumfremstillingsprocesser.