Nieuwe doorbraak op het gebied van siliciumfotonica: succesvolle ontwikkeling van elektrisch gepompte halfgeleiderlaser met volledig siliciumgroepelementen

Een team van wetenschappers van het Helmholtz Research Center Jülich in Duitsland heeft met succes de eerste elektrisch gepompte halfgeleiderlaser met volledig siliciumgroepelementen ontwikkeld. De laser wordt rechtstreeks op een siliciumwafel gekweekt en zal naar verwachting compatibel zijn met de traditionele CMOS-chipproductietechnologie en geschikt zijn voor naadloze integratie met bestaande siliciumproductieprocessen.