Nuevo avance en el campo de la fotónica del silicio: desarrollo exitoso de un láser semiconductor de onda continua bombeado eléctricamente con elementos del grupo del silicio

Un equipo de científicos del Centro de Investigación Helmholtz de Jülich (Alemania) ha desarrollado con éxito el primer láser semiconductor de onda continua bombeado eléctricamente con elementos del grupo del silicio. El láser se cultiva directamente sobre una oblea de silicio y se espera que sea compatible con la tecnología tradicional de fabricación de chips CMOS y adecuado para una integración perfecta con los procesos de fabricación de silicio existentes.