Новый прорыв в области кремниевой фотоники: успешная разработка полупроводникового лазера непрерывного действия с электрической накачкой на элементах группы кремния

Группа ученых из Исследовательского центра имени Гельмгольца в Юлихе в Германии успешно разработала первый полупроводниковый лазер непрерывного действия с электрической накачкой, состоящий из элементов группы кремния. Лазер выращивается непосредственно на кремниевой пластине и, как ожидается, будет совместим с традиционной технологией производства КМОП-чипов и будет легко интегрироваться в существующие процессы производства кремния.