Nov preboj na področju silicijeve fotonike: uspešen razvoj polprevodniškega laserja z neprekinjenim valom z električnim črpanjem, ki je sestavljen iz vse silicijeve skupine

Skupina znanstvenikov iz Helmholtz Research Center Jülich v Nemčiji je uspešno razvila prvi polprevodniški laser z neprekinjenim valom z električnim črpanjem, ki je sestavljen iz skupine elementov silicija. Laser se goji neposredno na silicijevi rezini in naj bi bil združljiv s tradicionalno tehnologijo izdelave čipov CMOS ter primeren za brezhibno integracijo z obstoječimi postopki izdelave silicija.