اختراق جديد في مجال ضوئيات السيليكون: التطوير الناجح لعنصر مجموعة السيليكون بالكامل الذي يتم ضخه كهربائيًا بالليزر أشباه الموصلات ذو الموجة المستمرة

نجح فريق من العلماء من مركز أبحاث هيلمهولتز يوليش في ألمانيا في تطوير أول عنصر مجموعة من السيليكون بالكامل يتم ضخه كهربائيًا بموجة مستمرة من ليزر أشباه الموصلات. ويتم زراعة الليزر مباشرة على رقاقة السيليكون ومن المتوقع أن يكون متوافقًا مع تكنولوجيا تصنيع شرائح CMOS التقليدية ومناسبًا للتكامل السلس مع عمليات تصنيع السيليكون الحالية.