Novae breakthrough in campo photonics pii: Prosperum evolutionis elementi coetus siliconis electrically exantlarentur continuum undam semiconductor laser

Turma phisicorum ab Helmholtz Research Centre Jülich in Germania feliciter evolvit, primum totius coetus siliconis elementi electricam laser undam continuam semiconductorem exantlavit. Laser protinus in laganum silicum crevit et expectatur compatible cum tradito CMOS chip fabricandi technologiam et aptam ad integrationem inconsutilem cum processibus fabricandis Pii existentibus.