Uma equipe de cientistas alemães desenvolveu o primeiro laser semicondutor de onda contínua com bombeamento elétrico de elemento de grupo totalmente de silício

Cientistas do Centro de Pesquisa Helmholtz Jülich da Alemanha, da Universidade de Stuttgart e do Instituto Leibniz de Microeletrônica de Alto Desempenho, em cooperação com a instituição de pesquisa francesa CEA-Leti, desenvolveram com sucesso a primeira bomba elétrica de elemento de grupo totalmente de silício Laser semicondutor de onda contínua. O laser é construído a partir de pilhas de camadas ultrafinas de silício-germânio-estanho e germânio-estanho, cultivadas diretamente em um wafer de silício. Este resultado inovador abre novas possibilidades para a fotônica integrada no chip e foi publicado na Nature.