Et hold af tyske forskere udviklede det første element af siliciumgruppe med elektrisk pumpet kontinuerlig bølgehalvlederlaser

Forskere fra Tysklands Helmholtz Research Center Jülich, University of Stuttgart og Leibniz Institute for High Performance Microelectronics har i samarbejde med den franske forskningsinstitution CEA-Leti udviklet med succes den første elektriske pumpe af siliciumgruppeelementer med kontinuerlig bølgehalvlederlaser. Laseren er bygget af stakke af ultratynde lag af silicium germanium tin og germanium tin, dyrket direkte på en silicium wafer. Dette banebrydende resultat åbner op for nye muligheder for integreret fotonik på chip og er blevet offentliggjort i Nature.