Un equipo de científicos alemanes desarrolló el primer láser semiconductor de onda continua bombeado eléctricamente con elementos del grupo del silicio

Científicos del Centro de Investigación Helmholtz de Jülich, la Universidad de Stuttgart y el Instituto Leibniz de Microelectrónica de Alto Rendimiento, en cooperación con la institución de investigación francesa CEA-Leti, desarrollaron con éxito la primera bomba eléctrica con elementos del grupo del silicio, un láser semiconductor de onda continua. El láser está construido a partir de pilas de capas ultrafinas de silicio, germanio y estaño, cultivadas directamente sobre una oblea de silicio. Este resultado revolucionario abre nuevas posibilidades para la fotónica integrada en chips y se ha publicado en Nature.