Eng Equipe vun däitsche Wëssenschaftler entwéckelt den éischten all-Silicium Grupp Element elektresch pompelen kontinuéierlech Wellen Halbleiter Laser

Wëssenschaftler aus Däitschland d'Helmholtz Research Center Jülich, der Universitéit vu Stuttgart, an der Leibniz Institut fir High Performance Microelectronics, an Zesummenaarbecht mat der franséischer Fuerschung Institutioun CEA-Leti, erfollegräich entwéckelt déi éischt All-Silicon Grupp Element elektresch Pompel Kontinuéierlech Wellen semiconductor Laser. De Laser ass aus Stäck vun ultra-dënnen Schichten aus Silizium Germanium Zinn an Germanium Zinn gebaut, direkt op engem Siliziumwafer ugebaut. Dëst Duerchbrochresultat mécht nei Méiglechkeete fir on-Chip integréiert Photonik op a gouf an der Natur publizéiert.