გერმანელ მეცნიერთა ჯგუფმა შეიმუშავა პირველი მთლიანად სილიკონის ჯგუფის ელემენტი ელექტრონულად ამოტუმბული უწყვეტი ტალღის ნახევარგამტარული ლაზერი.

გერმანიის ჰელმჰოლცის კვლევითი ცენტრის იულიხის, შტუტგარტის უნივერსიტეტისა და ლაიბნიცის მაღალი წარმადობის მიკროელექტრონული ინსტიტუტის მეცნიერებმა, ფრანგულ კვლევით ინსტიტუტთან CEA-Leti-სთან თანამშრომლობით, წარმატებით შექმნეს პირველი მთლიანად სილიკონის ჯგუფის ელემენტების ელექტრო ტუმბო უწყვეტი ტალღის ნახევარგამტარული ლაზერი. ლაზერი აგებულია სილიკონის გერმანიუმის თუნუქის და გერმანიუმის კალის ულტრა თხელი ფენებისგან, რომლებიც პირდაპირ სილიკონის ვაფლზე იზრდება. ეს გარღვევა ხსნის ახალ შესაძლებლობებს ჩიპზე ინტეგრირებული ფოტონიკისთვის და გამოქვეყნებულია Nature-ში.