Peteĩ ekípo de sientífiko alemán ojapo peteĩha láser semiconductor de onda continua oñembopupavaʼekue eléctricamente, peteĩ elemento grúpo entero silicio rehegua

Umi científico Centro de Investigación Helmholtz Alemania-gua Jülich, Universidad de Stuttgart ha Instituto Leibniz de Microelectrónica de Alto Rendimiento, oipytyvõva institución de investigación francesa CEA-Leti, omoheñói porã peteîha bomba eléctrica elemento grupo de todo silicio Láser semiconductor de ondas continuas. Ko láser oñemopu'ã pilas de capas ultrafinas de lata germanio de silicio ha estaño germanio, okakuaáva directamente peteî oblea de silicio rehe. Ko resultado de avance oipe'a hokê posibilidad pyahu fotónica integrada en chip ha oñemoherakuãma Nature-pe.