美光計畫2026年推出高效能HBM4記憶體模組

美光公司宣布，計劃在2026年推出其高效能HBM4記憶體模組。這款新型記憶體模組將堆疊多達16個DRAM晶片，每個晶片的容量為32GB，並採用2048位元寬接口，旨在提供卓越的性能和能源效率。美光錶示，憑藉其在成熟的1β（第五代10nm技術）製程技術方面的堅實基礎和持續投資，HBM4將在上市時間和能源效率方面保持領先地位，性能比HBM3E提升50%以上。這項創新有望推動汽車電子產業的發展，滿足日益增長的數據處理需求。