Micron planea lanzar módulos de memoria HBM4 de alto rendimiento en 2026

Micron ha anunciado planes para lanzar sus módulos de memoria HBM4 de alto rendimiento en 2026. Este nuevo módulo de memoria apilará hasta 16 chips DRAM, cada uno con una capacidad de 32 GB, y utilizará una interfaz de 2048 bits de ancho, diseñada para proporcionar un excelente rendimiento y eficiencia energética. Micron dijo que con su base sólida y su inversión continua en tecnología de proceso 1β (tecnología de 10 nm de quinta generación), HBM4 mantendrá su posición de liderazgo en tiempo de comercialización y eficiencia energética, con un rendimiento mejorado en más de un 50 % con respecto al HBM3E. Se espera que esta innovación promueva el desarrollo de la industria electrónica automotriz y satisfaga la creciente demanda de procesamiento de datos.