Micron prevede di lanciare moduli di memoria HBM4 ad alte prestazioni nel 2026

Micron ha annunciato l'intenzione di lanciare i suoi moduli di memoria HBM4 ad alte prestazioni nel 2026. Questo nuovo modulo di memoria accumulerà fino a 16 chip DRAM, ciascuno con una capacità di 32 GB, e utilizzerà un'interfaccia larga 2048 bit, progettata per fornire prestazioni eccellenti ed efficienza energetica. Micron ha affermato che, con le sue solide basi e i continui investimenti nella tecnologia di processo matura 1β (tecnologia di processo a 10 nm di quinta generazione), HBM4 manterrà la sua posizione di leader in termini di time-to-market ed efficienza energetica, con prestazioni migliorate di oltre il 50% rispetto a HBM3E. Si prevede che questa innovazione favorirà lo sviluppo del settore dell'elettronica automobilistica e soddisferà la crescente domanda di elaborazione dei dati.