Η Micron σχεδιάζει να κυκλοφορήσει μονάδες μνήμης HBM4 υψηλής απόδοσης το 2026

Η Micron ανακοίνωσε τα σχέδιά της να κυκλοφορήσει τις μονάδες μνήμης HBM4 υψηλής απόδοσης το 2026. Αυτή η νέα μονάδα μνήμης θα στοιβάζει έως και 16 τσιπ DRAM, το καθένα με χωρητικότητα 32 GB, και θα χρησιμοποιεί μια ευρεία διεπαφή 2048 bit, σχεδιασμένη να παρέχει εξαιρετική απόδοση και ενεργειακή απόδοση. Η Micron είπε ότι με τις στέρεες βάσεις και τη συνεχή επένδυσή της στην ώριμη τεχνολογία διεργασιών 1β (πέμπτη γενιά τεχνολογίας 10nm), η HBM4 θα διατηρήσει την ηγετική της θέση στο χρόνο στην αγορά και την ενεργειακή απόδοση, με απόδοση βελτιωμένη κατά περισσότερο από 50% σε σχέση με την HBM3E. Αυτή η καινοτομία αναμένεται να προωθήσει την ανάπτυξη της βιομηχανίας ηλεκτρονικών αυτοκινήτων και να καλύψει την αυξανόμενη ζήτηση για επεξεργασία δεδομένων.