Micron plánuje uvést na trh vysoce výkonné paměťové moduly HBM4 v roce 2026

Micron oznámil plány na uvedení svých vysoce výkonných paměťových modulů HBM4 v roce 2026. Tento nový paměťový modul naskládá až 16 čipů DRAM, každý o kapacitě 32 GB, a využije 2048bitové široké rozhraní navržené tak, aby poskytovalo vynikající výkon a energetickou účinnost. Společnost Micron uvedla, že díky svým pevným základům a pokračujícím investicím do vyspělé procesní technologie 1β (pátá generace 10nm technologie) si HBM4 udrží svou vedoucí pozici v době uvádění na trh a energetické účinnosti, s výkonem vylepšeným o více než 50 % oproti HBM3E. Očekává se, že tato inovace podpoří rozvoj automobilového elektronického průmyslu a uspokojí rostoucí poptávku po zpracování dat.